China ome'ê peteî paso tuicháva empuje orekóva industria IC memoria-pe. Mbohapy empresa china kakuaa oñembosako'i producción de ensayo DRAM ha NAND Flash mokõiha semestre 2018. YMTC, Innotron (Hefei Chang Xin) ha JHICC oime programada omoñepyrüvo producción de ensayo NAND Flash, DRAM móvil ha DRAM especialidad, respectivamente, mokõiha semestre 2018, segúnDrameXChange rehegua ., peteĩ división de .TrendForce rehegua .. Omoirûta producción masiva peteîha semestre 2019-pe, omarkávo China peteîha producción nacional de astillas nacionales.
Oñemoî equipo Fab Innotron-pe mbohapýha trimestre (Q3) 2017, según DramExChange, pero empresa oposterga producción de ensayo q3 2018 peve, péva rire producción masiva primer semestre (1h) 2019-pe.
JHICC, oñecentráva DRAM especialidad rehe, avei ombohasa producción de ensayo Q3 2018 ha producción masiva peve 1H 2019 peve.Ko empresa oikuaauka iplan julio 2016-pe oinverti haguã 5.300 millones de dólares peteî oblea pyahu 12 pulgadas fab Jinjiang, Provincia Fujian-pe.
Mokõive Innotron ha JHICC oime tapykuépe umi horario oñemoherakuãvape, omomarandu Dramexchange.
Innotron ikatu ombohovái ambue apañuãi. Umi ohecháva industria noimo'ãi umi fabricante IC memoria china ikatúta omoheñói tecnología avanzada oinfringi'ÿre patente ni omoheñóivo asociación empresa conjunta.
"Inotron aparentemente oipota ocompeti iñakãme umi proveedor DRAM máximo oiporavóvo umi chip LPDDR4 8GB ha'éva producto peteîha, pero oî posibilidad mbarete Innotron orekótaha potencial cuestiones de infracción de patentes", he'i DramexChange. "Ani haguã argumento, Innotron oikotevëta ombyaty IP ojehechakuaáva umi léi internacional. Ambue enfoque seguro ha'e ovende producto mercado interno-pe añoite iñepyrüme".
Umi nivel de gasto capex Samsung omoîta peteî parada "-pe.Opaichagua esperanza ikatúva oreko umi empresa china oiko haguã chuguikuéra jugador significativo umi mercado 3D NAND Flash térã DRAM-pe .," ha "Just aproximada ogarantisa sin algún tipo de empresa conjunta orekóva peteî tuicha sluppler de memoria oîva, umi startups de memoria china pyahu oime sa'i posibilidad okompeti haguã nivel ojoajúva umi proveedor principal ko'ã árape", he'i Bill McLean, presidente IC Insights, ary ohasava'ekuépe.
"Jepénte omoheñói hikuái tecnología avanzada ijehegui, umi proveedor chino pyahu haimete seguro oinfringe hetaiterei patente DRAM ha NAND orekóva Samsung, SK Hynix, Micron, etc.", ombojoapy.
Segmento Flash NAND-pe, YMTC oreko plan omopu'ã haguã mbohapy planta de fabricación de flash 3D-Nand secuencialmente mbohapy fase-pe. Ko primera fase oñemohu'ã setiembre 2017 jave instalación de equipos oñemotenondéva mbohapýha trimestre 2018, upéi producción de ensayo irundýha trimestre, he'i DramexChange. Ko planta ofabrikáta flash MLC 3D-Nand 32 capas. Umi oñepyrûva oblea noñeha'ãrõi ohasa 10.000 por mes.
"Oñemopu'ãvo umi planta mokõiha ha tercera fase ha umi plan de producción orekóva oprocede según situación YMTC operfecciona rire diseño 64 capas", he'i DramExchange.
